纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用
文献类型：专利
| 作者 | 吕业刚 ; 宋三年 ; 宋志棠 |
| 发表日期 | 2011-08-31 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102169958A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：摩尔百分比为70-99%的相变材料GeTe和摩尔百分比为1-30%的介质材料HfO2。相变材料GeTe与介质材料HfO2在纳米尺度内均匀复合，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的热稳定性，改善了材料的数据保持能力；另一方面因为介质材料的参与，使得有效编程体积减小，因而减小了相变单元结晶前后的体积变化和降低了RESET电流，这有助于存储器件的操作稳定性和实现低功耗。总之，这种新型纳米复合相变材料应用到存 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 申请日期 | 2011-04-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110110342.5 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49688]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕业刚,宋三年,宋志棠. 纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用. CN102169958A. 2011-08-31. |
入库方式： OAI收割
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