一种相变存储器器件单元及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐成 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 吴关平 |
| 发表日期 | 2011-11-09 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102237488A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种相变存储器的器件单元及其制备方法，该器件单元的加热电极材料为倒锥形，其底面面积小于顶面面积，且位于相变材料单元上方，并向下延伸与相变材料单元接触。本发明先制备好相变材料，然后采用先进半导体刻蚀技术制备出倒锥形的孔，填入加热电极材料并平坦化，使得相变区域发生在相变材料的上沿。由于采用先进的刻蚀技术，可以将倒锥形的孔下端的尺寸进一步缩小，减小加热电极材料与相变材料接触面积，从而达到降低器件单元操作电流、降低功耗和增加器件可靠性的目的。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-11-09 |
| 申请日期 | 2010-04-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010152455.7 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49694]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐成,宋志棠,刘波,等. 一种相变存储器器件单元及制备方法. CN102237488A. 2011-11-09. |
入库方式： OAI收割
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