基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 程新红 ; 徐大伟 ; 王中健 ; 夏超 ; 曹铎 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 |
| 发表日期 | 2011-11-23 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102254821A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质层以形成多个分别堆叠于各该硅岛上的高k栅介质岛，然后在该硅岛及高k栅介质岛上沉积电极薄膜层；最后刻蚀该电极薄膜层，以形成多个上电极及下电极，且使上电极分别堆叠于各该高k栅介质岛上、下电极形成于硅岛的表面上，以便在SOI材料上验证高k栅介质电学特性时，测量上、下电极的电容-电压特性可以不用考 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-11-23 |
| 申请日期 | 2011-07-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110192523.7 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49706]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,徐大伟,王中健,等. 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法. CN102254821A. 2011-11-23. |
入库方式： OAI收割
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