SOI器件中浮体效应的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱鸣 ; 林成鲁 ; 邢昆山 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 浮体效应 翘曲效应 寄生双极晶体管效应 SOI器件 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49763]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱鸣,林成鲁,邢昆山. SOI器件中浮体效应的研究进展[J]. 功能材料与器件学报,2002(03). |
| APA | 朱鸣,林成鲁,&邢昆山.(2002).SOI器件中浮体效应的研究进展.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 朱鸣,et al."SOI器件中浮体效应的研究进展".功能材料与器件学报 .03(2002). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。