Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周健 ; 夏冠群 ; 刘文超 ; 李冰寒 ; 王嘉宽 ; 郝幼申 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49764]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周健,夏冠群,刘文超,等. Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究[J]. 功能材料与器件学报,2002(02). |
| APA | 周健,夏冠群,刘文超,李冰寒,王嘉宽,&郝幼申.(2002).Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 周健,et al."Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究".功能材料与器件学报 .02(2002). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。