COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力
文献类型:期刊论文
作者 | 孙志国 ; 黄卫东 ; 蒋玉齐 ; 罗乐 |
刊名 | 功能材料与器件学报
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出版日期 | 2002 |
期号 | 04 |
关键词 | 硅压阻传感器 残余应力 位置 失效 |
ISSN号 | 1007-4252 |
中文摘要 | 利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近边的位置和中心位置时应力水平接近,但是靠近基板一角的位置应力较大,而且在热处理过程中应力出现“突跳”和“尖点”。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49769] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙志国,黄卫东,蒋玉齐,等. COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力[J]. 功能材料与器件学报,2002(04). |
APA | 孙志国,黄卫东,蒋玉齐,&罗乐.(2002).COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力.功能材料与器件学报(04). |
MLA | 孙志国,et al."COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力".功能材料与器件学报 .04(2002). |
入库方式: OAI收割
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