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COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力

文献类型:期刊论文

作者孙志国 ; 黄卫东 ; 蒋玉齐 ; 罗乐
刊名功能材料与器件学报
出版日期2002
期号04
关键词硅压阻传感器 残余应力 位置 失效
ISSN号1007-4252
中文摘要利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近边的位置和中心位置时应力水平接近,但是靠近基板一角的位置应力较大,而且在热处理过程中应力出现“突跳”和“尖点”。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49769]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
孙志国,黄卫东,蒋玉齐,等. COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力[J]. 功能材料与器件学报,2002(04).
APA 孙志国,黄卫东,蒋玉齐,&罗乐.(2002).COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力.功能材料与器件学报(04).
MLA 孙志国,et al."COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力".功能材料与器件学报 .04(2002).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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