Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高少文 ; 陈意桥 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | GaInAs/GaInAsP 应变量子阱 色散 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49777]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高少文,陈意桥,李爱珍. Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算[J]. 功能材料与器件学报,2002(03). |
| APA | 高少文,陈意桥,&李爱珍.(2002).Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算.功能材料与器件学报(03). |
| MLA | 高少文,et al."Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算".功能材料与器件学报 .03(2002). |
入库方式： OAI收割
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