基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量
文献类型：期刊论文
| 作者 | 南矿军 ; 张永刚 ; 何友军 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 飞通光电子技术
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 倒扣芯片连接 芯下填料 温度循环 三维有限元模拟 |
| 中文摘要 | 报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器的热阻等热特性参数。本文还对该激光器在不同脉冲驱动条件下的驱动电流和结电压波形进行了讨论。该方法也可用于其它波段的半导体激光器的热特性表征。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49784]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 南矿军,张永刚,何友军,等. 基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量[J]. 飞通光电子技术,2002(04). |
| APA | 南矿军,张永刚,何友军,&李爱珍.(2002).基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量.飞通光电子技术(04). |
| MLA | 南矿军,et al."基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量".飞通光电子技术 .04(2002). |
入库方式： OAI收割
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