制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 门传玲 ; 徐政 ; 安正华 ; 张苗 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | AlN薄膜 键合 SOI 离子束增强沉积 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要。利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料。剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TE |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49787]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 门传玲,徐政,安正华,等. 制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料[J]. 功能材料与器件学报,2002(04). |
| APA | 门传玲,徐政,安正华,张苗,&林成鲁.(2002).制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 门传玲,et al."制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料".功能材料与器件学报 .04(2002). |
入库方式： OAI收割
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