以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 万青 ; 王连卫 ; 邢朔 ; 章宁琳 ; 沈勤我 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC。X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜。X射线衍射(XRD)测试说明,不论衬底是硅还是多晶金刚石,当衬底温度为550oC时,PZT在Al2O3过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49799]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万青,王连卫,邢朔,等. 以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜[J]. 功能材料与器件学报,2002(02). |
| APA | 万青,王连卫,邢朔,章宁琳,沈勤我,&林成鲁.(2002).以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 万青,et al."以Al_2O_3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜".功能材料与器件学报 .02(2002). |
入库方式： OAI收割
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