SOI新结构——SOI研究的新方向
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谢欣云 ; 林青 ; 门传玲 ; 安正华 ; 张苗 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 物理
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0379-4148 |
| 中文摘要 | SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件 电路的要求 ,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点 .如SOIM ,GPSOI,GeSiOI,SionAlN ,SiCOI,GeSiOI ,SSOI等 .文章将结合作者的部分工作 ,报道SOI新结构研究的新动向及其应用 . |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49801]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢欣云,林青,门传玲,等. SOI新结构——SOI研究的新方向[J]. 物理,2002(04). |
| APA | 谢欣云,林青,门传玲,安正华,张苗,&林成鲁.(2002).SOI新结构——SOI研究的新方向.物理(04). |
| MLA | 谢欣云,et al."SOI新结构——SOI研究的新方向".物理 .04(2002). |
入库方式： OAI收割
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