一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 安正华 ; 张苗 ; 门传玲 ; 谢欣云 ; 沈勤我 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 物理
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0379-4148 |
| 中文摘要 | SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49803]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安正华,张苗,门传玲,等. 一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展[J]. 物理,2002(04). |
| APA | 安正华,张苗,门传玲,谢欣云,沈勤我,&林成鲁.(2002).一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展.物理(04). |
| MLA | 安正华,et al."一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展".物理 .04(2002). |
入库方式： OAI收割
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