低剂量SOI圆片的无损电学表征测试
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黎传礼 ; 俞跃辉 ; 陈猛 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧层的质量参数。传统的MOS电容结构测试电学特性应用到SOI圆片是有其局限性的,在本实验中直接利用SOI圆片的SIS(Silicon-Insulator-Silicon)结构,将SOI圆片的无损电学表征方法应用到实际的表征当中去。实验采用自行制备的低剂量超薄SIMOXSOI圆片,得到了比较可靠的实验结果。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49806]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黎传礼,俞跃辉,陈猛. 低剂量SOI圆片的无损电学表征测试[J]. 功能材料与器件学报,2002(02). |
| APA | 黎传礼,俞跃辉,&陈猛.(2002).低剂量SOI圆片的无损电学表征测试.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 黎传礼,et al."低剂量SOI圆片的无损电学表征测试".功能材料与器件学报 .02(2002). |
入库方式： OAI收割
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