SOI的自加热效应与SOI新结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林青 ; 谢欣云 ; 朱鸣 ; 张苗 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49811]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林青,谢欣云,朱鸣,等. SOI的自加热效应与SOI新结构的研究[J]. 功能材料与器件学报,2002(02). |
| APA | 林青,谢欣云,朱鸣,张苗,&林成鲁.(2002).SOI的自加热效应与SOI新结构的研究.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 林青,et al."SOI的自加热效应与SOI新结构的研究".功能材料与器件学报 .02(2002). |
入库方式： OAI收割
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