Ge-SiO_2薄膜的结构及其发光特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶春暖 ; 汤乃云 ; 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 俞跃辉 ; 姚伟国 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性。为探讨其发光机制,对薄膜的结构进行了表征。XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nmPL由GeO缺陷引起,580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光中心相联系。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49812]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶春暖,汤乃云,吴雪梅,等. Ge-SiO_2薄膜的结构及其发光特性的研究[J]. 功能材料与器件学报,2002(02). |
| APA | 叶春暖,汤乃云,吴雪梅,诸葛兰剑,俞跃辉,&姚伟国.(2002).Ge-SiO_2薄膜的结构及其发光特性的研究.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 叶春暖,et al."Ge-SiO_2薄膜的结构及其发光特性的研究".功能材料与器件学报 .02(2002). |
入库方式： OAI收割
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