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氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算

文献类型:期刊论文

作者赵智彪 ; 李伟 ; 祝向荣 ; 齐鸣 ; 李爱珍
刊名固体电子学研究与进展
出版日期2002
期号02
关键词负有效质量 自振荡 太赫兹振荡器
ISSN号1000-3819
中文摘要发展了一种显示与估算氮化镓 (Ga N)位错密度的光辅助湿法刻蚀与原子力显微镜相结合的方法。所用 Ga N采用射频等离子体辅助的分子束外延技术 (RF-plasma MBE)生长 ,腐蚀液为 KOH水溶液。结果发现 ,使用 5 .0 M的 KOH溶液刻蚀 5分钟的 Ga N,其 AFM图谱上出现了非常明显的“小坑”,且“小坑密度”的量级与Ga N样品的位错密度量级相当。采用 X-ray衍射的二维三轴图谱 (TDTAM)研究 Ga N的马塞克柱状生长与缺陷 ,并延用文献报道的方法估算其位错密度 ,所得位错密
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49843]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
赵智彪,李伟,祝向荣,等. 氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J]. 固体电子学研究与进展,2002(02).
APA 赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,&李爱珍.(2002).氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算.固体电子学研究与进展(02).
MLA 赵智彪,et al."氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算".固体电子学研究与进展 .02(2002).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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