氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵智彪 ; 李伟 ; 祝向荣 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 负有效质量 自振荡 太赫兹振荡器 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 发展了一种显示与估算氮化镓 (Ga N)位错密度的光辅助湿法刻蚀与原子力显微镜相结合的方法。所用 Ga N采用射频等离子体辅助的分子束外延技术 (RF-plasma MBE)生长 ,腐蚀液为 KOH水溶液。结果发现 ,使用 5 .0 M的 KOH溶液刻蚀 5分钟的 Ga N,其 AFM图谱上出现了非常明显的“小坑”,且“小坑密度”的量级与Ga N样品的位错密度量级相当。采用 X-ray衍射的二维三轴图谱 (TDTAM)研究 Ga N的马塞克柱状生长与缺陷 ,并延用文献报道的方法估算其位错密度 ,所得位错密 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49843]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵智彪,李伟,祝向荣,等. 氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J]. 固体电子学研究与进展,2002(02). |
| APA | 赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,&李爱珍.(2002).氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算.固体电子学研究与进展(02). |
| MLA | 赵智彪,et al."氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算".固体电子学研究与进展 .02(2002). |
入库方式： OAI收割
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