N~+、O~+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林青 ; 刘相华 ; 朱鸣 ; 谢欣云 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | TiMn1.25-5yCr0.25(V4Fe)y 储氢量 平衡压 滞后 退火 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49861]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林青,刘相华,朱鸣,等. N~+、O~+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟[J]. 核技术,2003(03). |
| APA | 林青,刘相华,朱鸣,谢欣云,&林成鲁.(2003).N~+、O~+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟.核技术(03). |
| MLA | 林青,et al."N~+、O~+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟".核技术 .03(2003). |
入库方式： OAI收割
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