SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张苗 ; 吴雁军 ; 刘卫丽 ; 安正华 ; 林成鲁 ; 朱剑豪 |
| 刊名 | 中国科学E辑:技术科学
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 生物芯片 微测序 转基因植物 检测 |
| ISSN号 | 1006-9275 |
| 中文摘要 | 采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5×1013,5×1014,5×1015cm-2)的吸除.剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明,700℃以上,Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart—Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底,并被纳米孔吸 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49867]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,吴雁军,刘卫丽,等. SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究[J]. 中国科学E辑:技术科学,2003(01). |
| APA | 张苗,吴雁军,刘卫丽,安正华,林成鲁,&朱剑豪.(2003).SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究.中国科学E辑:技术科学(01). |
| MLA | 张苗,et al."SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究".中国科学E辑:技术科学 .01(2003). |
入库方式： OAI收割
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