SOI材料和器件及其应用的新进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 张正选 ; 刘卫丽 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 09 |
| 关键词 | 平面光子带隙结构 微波毫米波集成电路 周期性 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49881]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,张正选,刘卫丽. SOI材料和器件及其应用的新进展[J]. 核技术,2003(09). |
| APA | 林成鲁,张正选,&刘卫丽.(2003).SOI材料和器件及其应用的新进展.核技术(09). |
| MLA | 林成鲁,et al."SOI材料和器件及其应用的新进展".核技术 .09(2003). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。