SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何平 ; 刘理天 ; 田立林 ; 李志坚 ; 董业明 ; 陈猛 ; 王曦 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | 氮化铝薄膜 应力 高分辨X射线衍射 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立 ,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率 (1 4W/mK)的常数1 0 6W/mK .测量中发现硅 /二氧化硅边界存在边界热阻 ,并测量了该数值 .结果表明 ,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略 . |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49891]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何平,刘理天,田立林,等. SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量[J]. 半导体学报,2003(10). |
| APA | 何平.,刘理天.,田立林.,李志坚.,董业明.,...&王曦.(2003).SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量.半导体学报(10). |
| MLA | 何平,et al."SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量".半导体学报 .10(2003). |
入库方式： OAI收割
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