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溶胶凝胶法制备高性能LiMn_2O_4薄膜

文献类型:期刊论文

作者杜柯 ; 张宏 ; 解晶莹 ; 杨军
刊名电池
出版日期2003
期号05
关键词GaInP/GaAs HBT 参数提取 小信号模型
ISSN号1001-1579
中文摘要用溶胶凝胶法在Pt片上采用慢速旋转涂布工艺制备LiMn2O4薄膜。该膜表面呈非致密态,厚度在200nm左右,晶体颗粒大小约为100nm。实验表明:该膜具有较大的放电容量,电流密度在0.01mA/cm2时,容量可达到75μAh/cm2·μm;可承受1mA/cm2的电流密度放电,容量仍有49μAh/cm2·μm。该膜循环性能良好,400次循环后容量没有衰减。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49897]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
杜柯,张宏,解晶莹,等. 溶胶凝胶法制备高性能LiMn_2O_4薄膜[J]. 电池,2003(05).
APA 杜柯,张宏,解晶莹,&杨军.(2003).溶胶凝胶法制备高性能LiMn_2O_4薄膜.电池(05).
MLA 杜柯,et al."溶胶凝胶法制备高性能LiMn_2O_4薄膜".电池 .05(2003).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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