DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林羲 ; 董业民 ; 何平 ; 陈猛 ; 王曦 ; 田立林 ; 李志坚 |
| 刊名 | 清华大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 07 |
| 关键词 | 含钙添加剂 MH-Ni电池 Ni(OH)2利用率 高温性能 循环性能 |
| ISSN号 | 1000-0054 |
| 中文摘要 | 严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI3种结构的器件。通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应。由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49923]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林羲,董业民,何平,等. DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较[J]. 清华大学学报(自然科学版),2003(07). |
| APA | 林羲.,董业民.,何平.,陈猛.,王曦.,...&李志坚.(2003).DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较.清华大学学报(自然科学版)(07). |
| MLA | 林羲,et al."DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较".清华大学学报(自然科学版) .07(2003). |
入库方式： OAI收割
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