压阻式高量程微加速度计的冲击校准
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郇勇 ; 张泰华 ; 杨业敏 ; 王钻开 ; 陆德仁 |
| 刊名 | 传感器技术
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 11 |
| 关键词 | SEI膜 电化学性能 碳负极 锂离子电池 |
| ISSN号 | 1000-9787 |
| 中文摘要 | 采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下,被测微加速度计的灵敏度为1.26μV/gn。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49927]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郇勇,张泰华,杨业敏,等. 压阻式高量程微加速度计的冲击校准[J]. 传感器技术,2003(11). |
| APA | 郇勇,张泰华,杨业敏,王钻开,&陆德仁.(2003).压阻式高量程微加速度计的冲击校准.传感器技术(11). |
| MLA | 郇勇,et al."压阻式高量程微加速度计的冲击校准".传感器技术 .11(2003). |
入库方式： OAI收割
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