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PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型

文献类型:期刊论文

作者李志怀 ; 夏冠群 ; 程宗权 ; 黄文奎 ; 伍滨和
刊名功能材料与器件学报
出版日期2003
期号01
关键词二氧化钒薄膜 离子束增强沉积 溶胶-凝胶法
ISSN号1007-4252
中文摘要研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性,建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用,当反向偏压大于0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49931]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李志怀,夏冠群,程宗权,等. PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型[J]. 功能材料与器件学报,2003(01).
APA 李志怀,夏冠群,程宗权,黄文奎,&伍滨和.(2003).PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型.功能材料与器件学报(01).
MLA 李志怀,et al."PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型".功能材料与器件学报 .01(2003).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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