水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孟兆祥 ; 于广辉 ; 叶好华 ; 雷本亮 ; 李存才 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 硫系化合物随机存储器 Ge2Sb2Te5 纳电子器件 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH_3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49937]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟兆祥,于广辉,叶好华,等. 水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长[J]. 功能材料与器件学报,2003(04). |
| APA | 孟兆祥.,于广辉.,叶好华.,雷本亮.,李存才.,...&李爱珍.(2003).水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 孟兆祥,et al."水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长".功能材料与器件学报 .04(2003). |
入库方式： OAI收割
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