新型高K栅介质ZrO_2薄膜材料的制备及表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 章宁琳 ; 宋志棠 ; 沈勤我 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | PCR微芯片 MEMS技术 表面处理 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高K栅介质—非晶ZrO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)中Zr3d5/2和Zr3d3/2对应的结合能分别为182.1eV和184.3eV,Zr元素的主要存在形式为Zr4+,说明薄膜由完全氧化的ZrO2组成,并且纵向分布均一。扩展电阻法(SRP)显示ZrO2薄膜的电阻率在108Ω·cm以上,通过高分辨率透射电镜(HR-XTEM)可以观察ZrO2/Si界面陡直,没有界面反应产物,证明600℃快速退火后ZrO2薄膜是非晶结构。原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面粗糙度,所有样 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49939]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章宁琳,宋志棠,沈勤我,等. 新型高K栅介质ZrO_2薄膜材料的制备及表征[J]. 功能材料与器件学报,2003(01). |
| APA | 章宁琳,宋志棠,沈勤我,&林成鲁.(2003).新型高K栅介质ZrO_2薄膜材料的制备及表征.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 章宁琳,et al."新型高K栅介质ZrO_2薄膜材料的制备及表征".功能材料与器件学报 .01(2003). |
入库方式： OAI收割
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