离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江炳尧 ; 任琮欣 ; 郑志宏 ; 柳襄怀 ; 樊会明 ; 姚刘聪 ; 李玉涛 ; 苏小保 |
| 刊名 | 中国有色金属学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 锂蓄电池 聚丙烯腈 单质硫 |
| ISSN号 | 1004-0609 |
| 中文摘要 | 采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .9A/m2 时 ,铪膜为 (110 )择优取向。当束流密度大于 1.2A/m2 时 ,铪膜以 (0 0 2 )、(10 0 )混合晶向为主 ,而与Ar+ 离子的入射角度无关。讨论了铪膜晶粒取向的转变机制 ,认为铪膜晶粒的择优取向 ,不是单纯地取决于基于沟道 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49951]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江炳尧,任琮欣,郑志宏,等. 离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向[J]. 中国有色金属学报,2003(06). |
| APA | 江炳尧.,任琮欣.,郑志宏.,柳襄怀.,樊会明.,...&苏小保.(2003).离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向.中国有色金属学报(06). |
| MLA | 江炳尧,et al."离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向".中国有色金属学报 .06(2003). |
入库方式： OAI收割
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