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微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能

文献类型:期刊论文

作者宗登刚 ; 王钻开 ; 陆德仁 ; 王聪和 ; 陈刚
刊名功能材料与器件学报
出版日期2003
期号02
关键词集成化 纳米探针 纳机电系统
ISSN号1007-4252
中文摘要利用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究低应力LPCVD氮化硅薄膜的力学特性。通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形对挠度有贡献的微桥挠度解析表达式。对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,从而得到杨氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数。低应力LPCVD氮化硅薄膜的研究结果:杨氏模量为(308.4±24.1)GPa,残余应力为(252.9±32.4)MPa,弯曲强度为(6.2±1.3)GPa。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49965]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
宗登刚,王钻开,陆德仁,等. 微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能[J]. 功能材料与器件学报,2003(02).
APA 宗登刚,王钻开,陆德仁,王聪和,&陈刚.(2003).微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能.功能材料与器件学报(02).
MLA 宗登刚,et al."微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能".功能材料与器件学报 .02(2003).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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