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氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究

文献类型:期刊论文

作者易万兵 ; 陈猛 ; 陈静 ; 王湘 ; 刘相华 ; 王曦
刊名功能材料与器件学报
出版日期2003
期号01
关键词氧化钒薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数
ISSN号1007-4252
中文摘要实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备SOI(SiliconOnInsulator)材料埋层结构的影响。用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化。研究表明,氢离子的注入有利于注氧隔离制备的SOI材料埋层的增宽。进一步的结果表明,室温氢离子注入导致的增宽效应比高温注入明显。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49973]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
易万兵,陈猛,陈静,等. 氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究[J]. 功能材料与器件学报,2003(01).
APA 易万兵,陈猛,陈静,王湘,刘相华,&王曦.(2003).氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究.功能材料与器件学报(01).
MLA 易万兵,et al."氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究".功能材料与器件学报 .01(2003).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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