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GaAs霍尔开关集成电路的研制

文献类型:期刊论文

作者胡少坚 ; 夏冠群 ; 冯明 ; 詹琰 ; 陈新宇 ; 蒋幼泉 ; 李拂晓
刊名功能材料与器件学报
出版日期2003
期号01
关键词掺铒波导放大器 集成光学 光通信
ISSN号1007-4252
中文摘要成功地设计并制造出GaAsMESFET霍尔开关集成电路。该电路采用了方形霍尔元件,绝对灵敏度为704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于SCFL的D触发器。结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求。实验结果还表明,霍尔元件和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49975]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
胡少坚,夏冠群,冯明,等. GaAs霍尔开关集成电路的研制[J]. 功能材料与器件学报,2003(01).
APA 胡少坚.,夏冠群.,冯明.,詹琰.,陈新宇.,...&李拂晓.(2003).GaAs霍尔开关集成电路的研制.功能材料与器件学报(01).
MLA 胡少坚,et al."GaAs霍尔开关集成电路的研制".功能材料与器件学报 .01(2003).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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