电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谢欣云 ; 万青 ; 林青 ; 沈勤我 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 储氢 Ti-V基合金 BCC相 储氢量 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～35nm的锥状纳米结构,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49981]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢欣云,万青,林青,等. 电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究[J]. 功能材料与器件学报,2003(02). |
| APA | 谢欣云,万青,林青,沈勤我,&林成鲁.(2003).电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 谢欣云,et al."电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究".功能材料与器件学报 .02(2003). |
入库方式： OAI收割
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