发射极δ掺杂的InGaAs/InP DHBT的特性分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈雷东 ; 曹俊诚 ; 齐鸣 ; 徐安怀 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | TiMn_(1.2-x)Cr_xV_(0.25)Fe_(0.05)合金 储氢量 平台压力 滞后 斜率 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N~+掺杂复合结结构。考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N~+、n~-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善。当δ掺杂浓度大于2×10~(12)cm~(-3)时,电流增益趋于饱和。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49989]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈雷东,曹俊诚,齐鸣,等. 发射极δ掺杂的InGaAs/InP DHBT的特性分析[J]. 功能材料与器件学报,2003(04). |
| APA | 陈雷东,曹俊诚,齐鸣,徐安怀,&李爱珍.(2003).发射极δ掺杂的InGaAs/InP DHBT的特性分析.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 陈雷东,et al."发射极δ掺杂的InGaAs/InP DHBT的特性分析".功能材料与器件学报 .04(2003). |
入库方式： OAI收割
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