新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 门传玲 ; 徐政 ; 安正华 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 同济大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | InGaAsSb 分子束外延 多量子阱 光致发光 |
| ISSN号 | 0253-374X |
| 中文摘要 | 为减轻传统SOI(silicon on insulator)材料的自加热效应 ,首次利用智能剥离技术 (smart cutprocess)成功制备了SOAN(silicon on aluminum nitride)结构 ,即以氮化铝 (AlN)薄膜为埋层的SOI结构 .采用离子束增强技术(IBED)在 10 .16cm(4in)硅片上合成了AIN薄膜 .剖面透射电镜照片证实了此SOAN结构 .高分辨的X射线衍射技术被用来研究此结构的剩余晶格应力 ,实验结果表明刚得到的SOAN结构在 110 0℃下退火 1 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50031]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 门传玲,徐政,安正华,等. 新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性[J]. 同济大学学报(自然科学版),2003(03). |
| APA | 门传玲,徐政,安正华,&林成鲁.(2003).新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性.同济大学学报(自然科学版)(03). |
| MLA | 门传玲,et al."新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性".同济大学学报(自然科学版) .03(2003). |
入库方式： OAI收割
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