纳米MOSFET/SOI器件新结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张正选 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | LFMCW 非线性PLL 线性化 环路相位模型 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 重点介绍器件进入纳米尺度后出现的MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄SOI器件、双栅MOSFET、FinFET和应变沟道等SOI器件,并对它们的性能进行了分析。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50047]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张正选,林成鲁. 纳米MOSFET/SOI器件新结构[J]. 功能材料与器件学报,2003(02). |
| APA | 张正选,&林成鲁.(2003).纳米MOSFET/SOI器件新结构.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 张正选,et al."纳米MOSFET/SOI器件新结构".功能材料与器件学报 .02(2003). |
入库方式： OAI收割
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