超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 章宁琳 ; 宋志棠 ; 沈勤我 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 10 |
| 关键词 | 一维光子带隙结构 微带滤波器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质 .扩展电阻法 (SRP)和剖面透射电镜 (XTEM)都表征出 6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构 ,其中ZrO2 /topSi界面陡直 ,没有界面产物生成 .选区电子衍射显示薄膜在 6 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50051]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章宁琳,宋志棠,沈勤我,等. 超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能[J]. 半导体学报,2003(10). |
| APA | 章宁琳,宋志棠,沈勤我,&林成鲁.(2003).超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能.半导体学报(10). |
| MLA | 章宁琳,et al."超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能".半导体学报 .10(2003). |
入库方式： OAI收割
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