压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜
文献类型:期刊论文
作者 | 郭方敏 ; 朱自强 ; 赖宗声 ; 朱守正 ; 朱荣锦 ; 忻佩胜 ; 范忠 ; 贾铭 ; 程知群 ; 杨根庆 |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2003 |
期号 | 06 |
关键词 | 场效应器件 绝缘体上硅(SOI) 局域注氧 浮体效应 自热效应 |
ISSN号 | 0253-4177 |
中文摘要 | 介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为 2 0 V时 ,相移量可达到 3 70°/3 .5 mm以上 ( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量 ,其传输损耗为 5 5~ 90°/ d B,比金可动膜结构要高 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-01-06 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50057] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭方敏,朱自强,赖宗声,等. 压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜[J]. 半导体学报,2003(06). |
APA | 郭方敏.,朱自强.,赖宗声.,朱守正.,朱荣锦.,...&杨根庆.(2003).压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜.半导体学报(06). |
MLA | 郭方敏,et al."压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜".半导体学报 .06(2003). |
入库方式: OAI收割
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