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压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜

文献类型:期刊论文

作者郭方敏 ; 朱自强 ; 赖宗声 ; 朱守正 ; 朱荣锦 ; 忻佩胜 ; 范忠 ; 贾铭 ; 程知群 ; 杨根庆
刊名半导体学报
出版日期2003
期号06
关键词场效应器件 绝缘体上硅(SOI) 局域注氧 浮体效应 自热效应
ISSN号0253-4177
中文摘要介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为 2 0 V时 ,相移量可达到 3 70°/3 .5 mm以上 ( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量 ,其传输损耗为 5 5~ 90°/ d B,比金可动膜结构要高
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50057]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
郭方敏,朱自强,赖宗声,等. 压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜[J]. 半导体学报,2003(06).
APA 郭方敏.,朱自强.,赖宗声.,朱守正.,朱荣锦.,...&杨根庆.(2003).压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜.半导体学报(06).
MLA 郭方敏,et al."压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜".半导体学报 .06(2003).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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