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智能剥离技术制备单晶SOG材料的研究

文献类型:期刊论文

作者宋华清 ; 石兢 ; 张苗 ; 林成鲁
刊名功能材料与器件学报
出版日期2003
期号02
关键词双电层电容器 活性炭 预处理 比电容 自放电
ISSN号1007-4252
中文摘要结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合(Anodicbonding),利用智能剥离技术(Smart-cut)成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上。采用剖面透射电镜、高分辨透射电镜、扫描电镜和拉曼光谱等对SOG材料进行了研究,结果表明此技术制备的SOG材料具有界面陡峭、平整,顶层硅单晶质量完好等优点。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50059]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
宋华清,石兢,张苗,等. 智能剥离技术制备单晶SOG材料的研究[J]. 功能材料与器件学报,2003(02).
APA 宋华清,石兢,张苗,&林成鲁.(2003).智能剥离技术制备单晶SOG材料的研究.功能材料与器件学报(02).
MLA 宋华清,et al."智能剥离技术制备单晶SOG材料的研究".功能材料与器件学报 .02(2003).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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