AlN薄膜室温直接键合技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 门传玲 ; 徐政 ; 安正华 ; 吴雁军 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 星座设计 覆盖特性 星间覆盖间隔时间 轨道面覆盖间隔时间 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构 . |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50069]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 门传玲,徐政,安正华,等. AlN薄膜室温直接键合技术[J]. 半导体学报,2003(02). |
| APA | 门传玲,徐政,安正华,吴雁军,&林成鲁.(2003).AlN薄膜室温直接键合技术.半导体学报(02). |
| MLA | 门传玲,et al."AlN薄膜室温直接键合技术".半导体学报 .02(2003). |
入库方式： OAI收割
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