多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谢欣云 ; 刘卫丽 ; 门传玲 ; 林青 ; 沈勤我 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | 微机械陀螺 等效电学模型 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 . |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50095]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢欣云,刘卫丽,门传玲,等. 多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构[J]. 半导体学报,2003(02). |
| APA | 谢欣云,刘卫丽,门传玲,林青,沈勤我,&林成鲁.(2003).多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构.半导体学报(02). |
| MLA | 谢欣云,et al."多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构".半导体学报 .02(2003). |
入库方式： OAI收割
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