微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宗登刚 ; 王钻开 ; 陆德仁 ; 王聪和 |
| 刊名 | 机械强度
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 氧氮共注 SIMON SOI 离子注入 |
| ISSN号 | 1001-9669 |
| 中文摘要 | 用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14 .0GPa± 2 9.2GPa ,残余应力为 2 65 .0MPa± 3 4.1MPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响 ,得到低应力氮化硅的弯曲强度为 6.9GPa± 1.1GPa。对微桥法测量误差的分析表明 ,衬底变形 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50112]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宗登刚,王钻开,陆德仁,等. 微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析[J]. 机械强度,2003(04). |
| APA | 宗登刚,王钻开,陆德仁,&王聪和.(2003).微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析.机械强度(04). |
| MLA | 宗登刚,et al."微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析".机械强度 .04(2003). |
入库方式： OAI收割
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