质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈贵宾 ; 李志锋 ; 蔡炜颖 ; 何力 ; 胡晓宁 ; 陆卫 ; 沈学础 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 微机电系统 体硅工艺 侧壁扩散 绝缘工艺 加速度传感器 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流 电压 (I V)特性进行了研究 .质子注入剂量为 2× 10 1 5cm- 2 时R0 A达 3 12 .5Ω·cm2 ,低温热处理后达 490Ω·cm2 . |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50119]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈贵宾,李志锋,蔡炜颖,等. 质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究[J]. 物理学报,2003(06). |
| APA | 陈贵宾.,李志锋.,蔡炜颖.,何力.,胡晓宁.,...&沈学础.(2003).质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究.物理学报(06). |
| MLA | 陈贵宾,et al."质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究".物理学报 .06(2003). |
入库方式： OAI收割
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