SOIM新结构的制备及其性能的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谢欣云 ; 林青 ; 门传玲 ; 刘卫丽 ; 徐安怀 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 高温超导 氧扩散 熔融织构 热重法 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 . |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50121]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢欣云,林青,门传玲,等. SOIM新结构的制备及其性能的研究[J]. 物理学报,2003(01). |
| APA | 谢欣云,林青,门传玲,刘卫丽,徐安怀,&林成鲁.(2003).SOIM新结构的制备及其性能的研究.物理学报(01). |
| MLA | 谢欣云,et al."SOIM新结构的制备及其性能的研究".物理学报 .01(2003). |
入库方式： OAI收割
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