Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林志浪 ; 郑新和 ; 王群 ; 周美玲 |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | 片上天线 非接触式IC卡 CMOS |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 中文摘要 | 高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.粉化后获得的复合AIN粉体具有纯度高,氧杂质含量低,粒度细小等优点. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50123]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林志浪,郑新和,王群,等. Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体[J]. 无机材料学报,2003(06). |
| APA | 林志浪,郑新和,王群,&周美玲.(2003).Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体.无机材料学报(06). |
| MLA | 林志浪,et al."Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体".无机材料学报 .06(2003). |
入库方式： OAI收割
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