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HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究

文献类型:期刊论文

作者陈贵宾 ; 陆卫 ; 蔡炜颖 ; 李志锋 ; 陈效双 ; 胡晓宁 ; 何力 ; 沈学础
刊名物理学报
出版日期2004
期号03
关键词分子束外延 异质结双极晶体管 InGaAs InP
ISSN号1000-3290
中文摘要在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流 电压特性和对零偏微分电阻R0 分析 ,观测到p_n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系 .在另一片薄膜材料(镉组分值为 0 2 74 3)上通过该方法获得R0 A优于现有常规数值的探测器单元
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50159]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
陈贵宾,陆卫,蔡炜颖,等. HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究[J]. 物理学报,2004(03).
APA 陈贵宾.,陆卫.,蔡炜颖.,李志锋.,陈效双.,...&沈学础.(2004).HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究.物理学报(03).
MLA 陈贵宾,et al."HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究".物理学报 .03(2004).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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