电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO_2薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金波 ; 李炜 ; 郑志宏 ; 王曦 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | ARM 微控制器 FPGA 配置 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 为了得到CeO2为埋层的新型SOI(SiliconOnInsulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础。同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨。由于CeO2(111)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50176]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金波,李炜,郑志宏,等. 电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO_2薄膜[J]. 功能材料与器件学报,2004(01). |
| APA | 金波,李炜,郑志宏,&王曦.(2004).电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO_2薄膜.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 金波,et al."电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO_2薄膜".功能材料与器件学报 .01(2004). |
入库方式： OAI收割
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