硫系化合物随机存储器研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 封松林 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 刘卫丽 |
| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | MC-CDMA 串行干扰消除 信道译码 迭代 信道估计 |
| ISSN号 | 1671-4776 |
| 中文摘要 | 系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研究所在C-RAM方面的研究进展。C-RAM由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和成本低等优点,被认为是最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器的主流产品。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50180]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 封松林,宋志棠,刘波,等. 硫系化合物随机存储器研究进展[J]. 微纳电子技术,2004(04). |
| APA | 封松林,宋志棠,刘波,&刘卫丽.(2004).硫系化合物随机存储器研究进展.微纳电子技术(04). |
| MLA | 封松林,et al."硫系化合物随机存储器研究进展".微纳电子技术 .04(2004). |
入库方式： OAI收割
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