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光通信用厚膜SOI材料的制备与研究

文献类型:期刊论文

作者程新利 ; 林志浪 ; 王永进 ; 肖海波 ; 张峰 ; 邹世昌
刊名功能材料与器件学报
出版日期2004
期号04
关键词微流控芯片 MEMS技术 蛋白检测 电渗流 紫外吸收
ISSN号1007-4252
中文摘要利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。采用Secco液腐蚀、椭圆偏振仪(SE)、扩展电阻(SRP)等技术对材料的性能进行了表征,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因。外延层电阻率纵向分布均匀,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的不平整。用制备的厚膜SOI材料制作了脊型光波导并完成了光损耗测试实验,得到了传输损耗为0.4dB/cm的波导结构。
语种中文
公开日期2012-01-06
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50194]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
程新利,林志浪,王永进,等. 光通信用厚膜SOI材料的制备与研究[J]. 功能材料与器件学报,2004(04).
APA 程新利,林志浪,王永进,肖海波,张峰,&邹世昌.(2004).光通信用厚膜SOI材料的制备与研究.功能材料与器件学报(04).
MLA 程新利,et al."光通信用厚膜SOI材料的制备与研究".功能材料与器件学报 .04(2004).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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