Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杜茂华 ; 蒋玉齐 ; 罗乐 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | 射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 研究了Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及Sn层厚度等因素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化。实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合质量的重要因素,在功率500W、时间200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较小的压力(0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度能够缩短键合时间。在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50200]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜茂华,蒋玉齐,罗乐. Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究[J]. 功能材料与器件学报,2004(04). |
| APA | 杜茂华,蒋玉齐,&罗乐.(2004).Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 杜茂华,et al."Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺研究".功能材料与器件学报 .04(2004). |
入库方式： OAI收割
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