浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 严勇健 ; 吴雪梅 ; 诸葛兰剑 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | 微电机系统 PCR芯片 微流控 仿真模拟 |
| ISSN号 | 1005-3093 |
| 中文摘要 | 用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的SiO_2包裹纳米硅颗粒结构,研究了样品的光致发光(PL)特性。结果表明,与剥离前相比,表层多孔层剥离后PL谱的强度约有10倍的增幅,峰位主要在蓝紫光范围内。在300℃干氧中退火后,样品的发光强度下降为退火前的三分之一,随着退火温度的升高,发光强度有所增强。退火前后有不同的发光机理,退火前光激发主要在纳米硅内,然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合;退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50217]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 严勇健,吴雪梅,诸葛兰剑. 浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性[J]. 材料研究学报,2004(05). |
| APA | 严勇健,吴雪梅,&诸葛兰剑.(2004).浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性.材料研究学报(05). |
| MLA | 严勇健,et al."浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性".材料研究学报 .05(2004). |
入库方式： OAI收割
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