离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张昌盛 ; 肖海波 ; 王永进 ; 陈志君 ; 程新利 ; 张峰 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2004 |
| 期号 | 02 |
| 关键词 | TiMn储氢合金 PCT XRD 焓变 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-01-06 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50223]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张昌盛,肖海波,王永进,等. 离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光[J]. 功能材料与器件学报,2004(02). |
| APA | 张昌盛,肖海波,王永进,陈志君,程新利,&张峰.(2004).离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 张昌盛,et al."离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光".功能材料与器件学报 .02(2004). |
入库方式： OAI收割
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